TP65H050WS / TP65H035WS Drëtt Generatioun (Gen III) Gallium Nitrid (GaN) Feldeffekt Transistoren (FETs)

D'GAN FETs vum Transphorm bidden méi roueg Wiessel andeems elektromagnetesch Interferenz (EMI) reduzéiert gëtt an d'Geräischer Immunitéit erhéicht

Transphorm's TP65H050WS an TP65H035WS si Gen III 650 V GaN FETs. Si erginn niddereg EMI, erhéicht Gate Rausch immunitéit, a méi grouss Sëtzraum a Circuitapplikatiounen. De 50 mΩ TP65H050WS an den 35 mΩ TP65H035WS sinn an Standard TO-247 Packagen verfügbar.

E MOSFET an Designmodifikatiounen erlaben d'Gen III Apparater eng verstäerkte Schwellspannung (Geräischer Immunitéit) op 4 V vun 2,1 V (Gen II) ze liwweren, wat d'Noutwendegkeet vun engem negativen Gate Drive eliminéiert. D'Puer Zouverlässegkeet erhéicht vu Gen II ëm 11% bis op ± 20 V maximal. Dëst ergëtt méi roueg Schalter an d'Plattform liwwert Leeschtungsverbesserung op méi héije Stroumniveauen mat einfachen externen Circuiten.

Seasonic Electronics Company's 1600T ass eng 1600 W, bridgeless Totem-Pole Plattform déi dës Héichspannung GaN FETs benotzt fir 99% Power Factor Korrektioun (PFC) Effizienz an Batterieladeren (E-Scooter, Industrie, a méi), PC Power, Serveren , a Spillerinne Mäert. D'Virdeeler fir dës FETs mat der Siliziumbaséierter Plattform 1600T ze benotzen enthale méi Effizienz ëm 2% a verstäerkte Kraaftdicht ëm 20%.

D'1600T Plattform beschäftegt den Transphorm's TP65H035WS fir eng méi Effizienz bei hart- a weichgeschaltleche Circuiten ze kréien an d'Benotzer Optiounen ze bidden beim Designen vun Power System Produkter. D'TP65H035WS paart mat allgemengt benotzten Gate Driver fir vereinfacht Designen.